AP2N7002A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP2N7002A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SOT23

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AP2N7002A datasheet

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AP2N7002A

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AP2N7002A

AP2N7002K-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 450mA S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resist

 6.2. Size:100K  ape
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AP2N7002A

AP2N7002KU Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 270mA S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-323 G D Description AP2N7002 series are from Advanced Power innovated design G and silicon process technology to achieve th

 6.3. Size:1560K  allpower
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AP2N7002A

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