AP2N7002A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2N7002A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2N7002A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N7002A даташит

 ..1. Size:1604K  cn apm
 ap2n7002a.pdf pdf_icon

AP2N7002A

 6.1. Size:58K  ape
 ap2n7002k-hf.pdf pdf_icon

AP2N7002A

AP2N7002K-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 450mA S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resist

 6.2. Size:100K  ape
 ap2n7002ku.pdf pdf_icon

AP2N7002A

AP2N7002KU Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 270mA S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-323 G D Description AP2N7002 series are from Advanced Power innovated design G and silicon process technology to achieve th

 6.3. Size:1560K  allpower
 ap2n7002.pdf pdf_icon

AP2N7002A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP200N04TLG5, AP200N10MP, AP200N15MP, AP200N15TLG1, AP20G03GD, AP280N10MP, AP2N20MI, AP2N30MI, IRFB7545, AP2P15MI, AP300N04TLG5, AP30G03GD, AP30H04DF, AP30H04NF, AP30N02D, AP30N03DF, AP30N06D