AP2P15MI Todos los transistores

 

AP2P15MI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2P15MI
   Código: 2P15MI-AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AP2P15MI Datasheet (PDF)

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AP2P15MI

AP2P15MI -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2P15MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-2.7A DS DR

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History: ES4953 | IRF7304QPBF

 

 
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