AP2P15MI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP2P15MI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP2P15MI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2P15MI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2P15MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1235K  cn apm
 ap2p15mi.pdf pdf_icon

AP2P15MI

AP2P15MI -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2P15MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-2.7A DS DR

Другие MOSFET... AP200N10MP , AP200N15MP , AP200N15TLG1 , AP20G03GD , AP280N10MP , AP2N20MI , AP2N30MI , AP2N7002A , AON7403 , AP300N04TLG5 , AP30G03GD , AP30H04DF , AP30H04NF , AP30N02D , AP30N03DF , AP30N06D , AP30N06DF .

History: AP2311MI | DMTH10H010SCT

 

 
Back to Top

 


 
.