AP2P15MI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2P15MI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2P15MI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2P15MI даташит

 ..1. Size:1235K  cn apm
 ap2p15mi.pdf pdf_icon

AP2P15MI

AP2P15MI -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2P15MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-2.7A DS D R

Другие IGBT... AP200N10MP, AP200N15MP, AP200N15TLG1, AP20G03GD, AP280N10MP, AP2N20MI, AP2N30MI, AP2N7002A, AON7403, AP300N04TLG5, AP30G03GD, AP30H04DF, AP30H04NF, AP30N02D, AP30N03DF, AP30N06D, AP30N06DF