AP55N10F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP55N10F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de AP55N10F MOSFET
AP55N10F Datasheet (PDF)
ap55n10f.pdf
AP55N10F N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The AP55N10F uses advanced trench technology to provide excellent R ,device is suitable for use as a DS(ON)Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I = 55A DS DR
Otros transistores... AP50P03D , AP50P03DF , AP50P03NF , AP50P04D , AP50P04DF , AP50P10D , AP50P10NF , AP50P10P , IRFP460 , AP5N04MI , AP5N06MI , AP5N10BI , AP5N10BSI , AP5N10MI , AP5N10SI , AP6N10MI , AP6N12MI .
History: HUFA76645S3S | JMSL10A13L | JMTI080N02A
History: HUFA76645S3S | JMSL10A13L | JMTI080N02A
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