AP55N10F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP55N10F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: TO220F

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AP55N10F datasheet

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AP55N10F

AP55N10F N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The AP55N10F uses advanced trench technology to provide excellent R ,device is suitable for use as a DS(ON) Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I = 55A DS D R

 9.1. Size:2411K  allpower
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AP55N10F

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