AP55N10F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP55N10F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 185.4 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для AP55N10F
AP55N10F Datasheet (PDF)
..1. Size:1816K cn apm
ap55n10f.pdf
ap55n10f.pdf
AP55N10F N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The AP55N10F uses advanced trench technology to provide excellent R ,device is suitable for use as a DS(ON)Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I = 55A DS DR
Другие MOSFET... AP50P03D , AP50P03DF , AP50P03NF , AP50P04D , AP50P04DF , AP50P10D , AP50P10NF , AP50P10P , IRFP460 , AP5N04MI , AP5N06MI , AP5N10BI , AP5N10BSI , AP5N10MI , AP5N10SI , AP6N10MI , AP6N12MI .
History: HUFA76645S3S | JMTI080N02A | JMSL10A13L
History: HUFA76645S3S | JMTI080N02A | JMSL10A13L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont