AP55N10F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP55N10F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP55N10F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP55N10F даташит

 ..1. Size:1816K  cn apm
 ap55n10f.pdf pdf_icon

AP55N10F

AP55N10F N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The AP55N10F uses advanced trench technology to provide excellent R ,device is suitable for use as a DS(ON) Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I = 55A DS D R

 9.1. Size:2411K  allpower
 ap55n03.pdf pdf_icon

AP55N10F

Другие IGBT... AP50P03D, AP50P03DF, AP50P03NF, AP50P04D, AP50P04DF, AP50P10D, AP50P10NF, AP50P10P, IRFP460, AP5N04MI, AP5N06MI, AP5N10BI, AP5N10BSI, AP5N10MI, AP5N10SI, AP6N10MI, AP6N12MI