AP5N10BI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP5N10BI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de AP5N10BI MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP5N10BI datasheet

 ..1. Size:1018K  cn apm
 ap5n10bi.pdf pdf_icon

AP5N10BI

AP5N10BI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N10BI uses advanced APM-SGTII technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =5.0A DS D R

 7.1. Size:1365K  cn apm
 ap5n10bsi.pdf pdf_icon

AP5N10BI

AP5N10BSI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N10BSI uses advanced Trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =5A DS D R

 8.1. Size:1586K  allpower
 ap5n10s.pdf pdf_icon

AP5N10BI

 8.2. Size:790K  allpower
 ap5n10m.pdf pdf_icon

AP5N10BI

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AP50P04D, AP50P04DF, AP50P10D, AP50P10NF, AP50P10P, AP55N10F, AP5N04MI, AP5N06MI, IRF1404, AP5N10BSI, AP5N10MI, AP5N10SI, AP6N10MI, AP6N12MI, AP6N40D, AP6P03SI, AP6P06MI