AP5N10BI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP5N10BI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP5N10BI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5N10BI даташит

 ..1. Size:1018K  cn apm
 ap5n10bi.pdf pdf_icon

AP5N10BI

AP5N10BI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N10BI uses advanced APM-SGTII technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =5.0A DS D R

 7.1. Size:1365K  cn apm
 ap5n10bsi.pdf pdf_icon

AP5N10BI

AP5N10BSI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N10BSI uses advanced Trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =5A DS D R

 8.1. Size:1586K  allpower
 ap5n10s.pdf pdf_icon

AP5N10BI

 8.2. Size:790K  allpower
 ap5n10m.pdf pdf_icon

AP5N10BI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP50P04D, AP50P04DF, AP50P10D, AP50P10NF, AP50P10P, AP55N10F, AP5N04MI, AP5N06MI, IRF1404, AP5N10BSI, AP5N10MI, AP5N10SI, AP6N10MI, AP6N12MI, AP6N40D, AP6P03SI, AP6P06MI