SSC8K23GN2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSC8K23GN2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm

Encapsulados: DFN2X2

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SSC8K23GN2 datasheet

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SSC8K23GN2

SSC8K23GN2 P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features Applications P-MOSFET Bidirectional blocking switch; DC-DC conversion applications; VDS VGS RDSon TYP ID Li-battery charging; 60mR@-4V5 -20V 8V 75mR@-2V5 -3.4A Pin configuration 105mR@-1V8 Top View Schottky VR IR VF IO 6 5 4 20V 15uA 410mV@1A 2A K G S Genera

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SSC8K23GN2

SSC8K21GN3 P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features Applications P-MOSFET Li Battery Charging VDS VGS RDSon TYP ID High Side DC/DC Converter High Side Driver for Brushless DC Motor 105mR@-4V5 Power Management in Portable, Battery -20V 8V 130mR@-2V5 -2A Powered Devices 180mR@-1V8 Pin configuration Schottky Top View V

Otros transistores... AP20N03D, AP20N06BD, AP20N06D, AP20N06S, AP20N10D, AP20P01BF, SSC8415GS6, SSC8K21GN3, IRF1010E, SSC8P20AN2, SSC8P22AN3, SSC8P22CN2, AP3410MI, AP3415A, AP35H04NF, AP3N06I, AP3N06MI