SSC8K23GN2 Todos los transistores

 

SSC8K23GN2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSC8K23GN2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2
 

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SSC8K23GN2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  afsemi
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SSC8K23GN2

SSC8K23GN2 P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features Applications P-MOSFET Bidirectional blocking switch; DC-DC conversion applications; VDS VGS RDSon TYP ID Li-battery charging; 60mR@-4V5 -20V 8V 75mR@-2V5 -3.4A Pin configuration 105mR@-1V8 Top View Schottky VR IR VF IO 6 5 4 20V 15uA 410mV@1A 2A K G S Genera

 8.1. Size:542K  afsemi
 ssc8k21gn3.pdf pdf_icon

SSC8K23GN2

SSC8K21GN3 P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features Applications P-MOSFET Li Battery Charging VDS VGS RDSon TYP ID High Side DC/DC Converter High Side Driver for Brushless DC Motor 105mR@-4V5 Power Management in Portable, Battery -20V 8V 130mR@-2V5 -2A Powered Devices 180mR@-1V8 Pin configuration Schottky Top View V

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