SSC8K23GN2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSC8K23GN2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

Аналог (замена) для SSC8K23GN2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSC8K23GN2 даташит

 ..1. Size:242K  afsemi
 ssc8k23gn2.pdf pdf_icon

SSC8K23GN2

SSC8K23GN2 P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features Applications P-MOSFET Bidirectional blocking switch; DC-DC conversion applications; VDS VGS RDSon TYP ID Li-battery charging; 60mR@-4V5 -20V 8V 75mR@-2V5 -3.4A Pin configuration 105mR@-1V8 Top View Schottky VR IR VF IO 6 5 4 20V 15uA 410mV@1A 2A K G S Genera

 8.1. Size:542K  afsemi
 ssc8k21gn3.pdf pdf_icon

SSC8K23GN2

SSC8K21GN3 P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features Applications P-MOSFET Li Battery Charging VDS VGS RDSon TYP ID High Side DC/DC Converter High Side Driver for Brushless DC Motor 105mR@-4V5 Power Management in Portable, Battery -20V 8V 130mR@-2V5 -2A Powered Devices 180mR@-1V8 Pin configuration Schottky Top View V

Другие IGBT... AP20N03D, AP20N06BD, AP20N06D, AP20N06S, AP20N10D, AP20P01BF, SSC8415GS6, SSC8K21GN3, IRF1010E, SSC8P20AN2, SSC8P22AN3, SSC8P22CN2, AP3410MI, AP3415A, AP35H04NF, AP3N06I, AP3N06MI