SSC8K23GN2 - аналоги и даташиты транзистора

 

SSC8K23GN2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSC8K23GN2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
 

 Аналог (замена) для SSC8K23GN2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSC8K23GN2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  afsemi
 ssc8k23gn2.pdf pdf_icon

SSC8K23GN2

SSC8K23GN2 P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features Applications P-MOSFET Bidirectional blocking switch; DC-DC conversion applications; VDS VGS RDSon TYP ID Li-battery charging; 60mR@-4V5 -20V 8V 75mR@-2V5 -3.4A Pin configuration 105mR@-1V8 Top View Schottky VR IR VF IO 6 5 4 20V 15uA 410mV@1A 2A K G S Genera

 8.1. Size:542K  afsemi
 ssc8k21gn3.pdf pdf_icon

SSC8K23GN2

SSC8K21GN3 P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features Applications P-MOSFET Li Battery Charging VDS VGS RDSon TYP ID High Side DC/DC Converter High Side Driver for Brushless DC Motor 105mR@-4V5 Power Management in Portable, Battery -20V 8V 130mR@-2V5 -2A Powered Devices 180mR@-1V8 Pin configuration Schottky Top View V

Другие MOSFET... AP20N03D , AP20N06BD , AP20N06D , AP20N06S , AP20N10D , AP20P01BF , SSC8415GS6 , SSC8K21GN3 , TK10A60D , SSC8P20AN2 , SSC8P22AN3 , SSC8P22CN2 , , , , , .

History: SSC8P20AN2

 

 
Back to Top

 


 
.