AP35H04NF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP35H04NF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 192 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de AP35H04NF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP35H04NF datasheet

 ..1. Size:1725K  cn apm
 ap35h04nf.pdf pdf_icon

AP35H04NF

AP35H04NF 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP35H04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =35A DS D R

Otros transistores... SSC8415GS6, SSC8K21GN3, SSC8K23GN2, SSC8P20AN2, SSC8P22AN3, SSC8P22CN2, AP3410MI, AP3415A, AON7506, AP3N06I, AP3N06MI, AP3N10BI, AP3N50D, AP3P06AI, AP3P06BI, AP3P06LI, AP3P10MI