AP35H04NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP35H04NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для AP35H04NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP35H04NF даташит

 ..1. Size:1725K  cn apm
 ap35h04nf.pdf pdf_icon

AP35H04NF

AP35H04NF 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP35H04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =35A DS D R

Другие IGBT... SSC8415GS6, SSC8K21GN3, SSC8K23GN2, SSC8P20AN2, SSC8P22AN3, SSC8P22CN2, AP3410MI, AP3415A, AON7506, AP3N06I, AP3N06MI, AP3N10BI, AP3N50D, AP3P06AI, AP3P06BI, AP3P06LI, AP3P10MI