AP35H04NF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP35H04NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP35H04NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP35H04NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP35H04NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1725K  cn apm
 ap35h04nf.pdf pdf_icon

AP35H04NF

AP35H04NF 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP35H04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =35A DS DR

Другие MOSFET... SSC8415GS6 , SSC8K21GN3 , SSC8K23GN2 , SSC8P20AN2 , SSC8P22AN3 , SSC8P22CN2 , AP3410MI , AP3415A , 2N7002 , AP3N06I , AP3N06MI , AP3N10BI , AP3N50D , AP3P06AI , AP3P06BI , AP3P06LI , AP3P10MI .

 

 
Back to Top

 


 
.