AP3N50D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP3N50D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO252

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AP3N50D datasheet

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AP3N50D

AP3N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Genera

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AP3N50D

AP3N5R0MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 5m Low On-resistance D G RoHS Compliant & Halogen-Free D D S D Description AP3N5R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible

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