AP3N50D - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3N50D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP3N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1441K  cn apm
 ap3n50d.pdf pdf_icon

AP3N50D

AP3N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Genera

Другие MOSFET... SSC8P22AN3 , SSC8P22CN2 , AP3410MI , AP3415A , AP35H04NF , AP3N06I , AP3N06MI , AP3N10BI , IRFP450 , AP3P06AI , AP3P06BI , AP3P06LI , AP3P10MI , AP3P10S , AP40G03NF , AP40H04NF , AP40H10NF .

History: AP3N10BI | AP3P10S | AP3P10MI | AP3N06MI | AP3N06I

 

 
Back to Top

 


 
.