AP3N50D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3N50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP3N50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N50D даташит

 ..1. Size:1441K  cn apm
 ap3n50d.pdf pdf_icon

AP3N50D

AP3N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Genera

 8.1. Size:781K  allpower
 ap3n50f.pdf pdf_icon

AP3N50D

 8.2. Size:834K  allpower
 ap3n50k.pdf pdf_icon

AP3N50D

 9.1. Size:319K  ape
 ap3n5r0mt.pdf pdf_icon

AP3N50D

AP3N5R0MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 5m Low On-resistance D G RoHS Compliant & Halogen-Free D D S D Description AP3N5R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSC8P22AN3, SSC8P22CN2, AP3410MI, AP3415A, AP35H04NF, AP3N06I, AP3N06MI, AP3N10BI, AO4407, AP3P06AI, AP3P06BI, AP3P06LI, AP3P10MI, AP3P10S, AP40G03NF, AP40H04NF, AP40H10NF