AP40G03NF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP40G03NF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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AP40G03NF datasheet

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AP40G03NF

AP40G03NF 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40G03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =42A DS D R

 9.1. Size:94K  ape
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AP40G03NF

AP40G120W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features C VCES 1200V Advanced IGBT Technology IC 40A Low Saturation Voltage VCE(sat)=3.15V@IC=40A C G Industry Standard TO-3P Package G TO-3P C E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V VGE Gate-E

Otros transistores... AP3N06MI, AP3N10BI, AP3N50D, AP3P06AI, AP3P06BI, AP3P06LI, AP3P10MI, AP3P10S, 10N65, AP40H04NF, AP40H10NF, ATM06P50TC, ATM10N10SQ, ATM10N65TF, ATM1205PSI, ATM2300NSA, ATM2301PSC