AP40G03NF Todos los transistores

 

AP40G03NF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP40G03NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de AP40G03NF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP40G03NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1803K  cn apm
 ap40g03nf.pdf pdf_icon

AP40G03NF

AP40G03NF 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40G03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =42A DS DR

 9.1. Size:94K  ape
 ap40g120w.pdf pdf_icon

AP40G03NF

AP40G120WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesCVCES 1200V Advanced IGBT Technology IC 40A Low Saturation VoltageVCE(sat)=3.15V@IC=40ACG Industry Standard TO-3P PackageGTO-3PCEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCESCollector-Emitter Voltage 1200 VVGEGate-E

Otros transistores... AP3N06MI , AP3N10BI , AP3N50D , AP3P06AI , AP3P06BI , AP3P06LI , AP3P10MI , AP3P10S , 75N75 , AP40H04NF , AP40H10NF , , , , , , .

History: AP3P06AI | AP35H04NF | AP3P06LI | AP40H10NF | AP40H04NF

 

 
Back to Top

 


 
.