AP40G03NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP40G03NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для AP40G03NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40G03NF даташит

 ..1. Size:1803K  cn apm
 ap40g03nf.pdf pdf_icon

AP40G03NF

AP40G03NF 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40G03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =42A DS D R

 9.1. Size:94K  ape
 ap40g120w.pdf pdf_icon

AP40G03NF

AP40G120W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features C VCES 1200V Advanced IGBT Technology IC 40A Low Saturation Voltage VCE(sat)=3.15V@IC=40A C G Industry Standard TO-3P Package G TO-3P C E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V VGE Gate-E

Другие IGBT... AP3N06MI, AP3N10BI, AP3N50D, AP3P06AI, AP3P06BI, AP3P06LI, AP3P10MI, AP3P10S, 10N65, AP40H04NF, AP40H10NF, ATM06P50TC, ATM10N10SQ, ATM10N65TF, ATM1205PSI, ATM2300NSA, ATM2301PSC