AP40G03NF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP40G03NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP40G03NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP40G03NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40G03NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1803K  cn apm
 ap40g03nf.pdf pdf_icon

AP40G03NF

AP40G03NF 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40G03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =42A DS DR

 9.1. Size:94K  ape
 ap40g120w.pdf pdf_icon

AP40G03NF

AP40G120WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesCVCES 1200V Advanced IGBT Technology IC 40A Low Saturation VoltageVCE(sat)=3.15V@IC=40ACG Industry Standard TO-3P PackageGTO-3PCEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCESCollector-Emitter Voltage 1200 VVGEGate-E

Другие MOSFET... AP3N06MI , AP3N10BI , AP3N50D , AP3P06AI , AP3P06BI , AP3P06LI , AP3P10MI , AP3P10S , 75N75 , AP40H04NF , AP40H10NF , , , , , , .

History: AP40H10NF | AP35H04NF | AP3P06AI | AP3P06LI | AP40H04NF

 

 
Back to Top

 


 
.