AP40H04NF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP40H04NF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de AP40H04NF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP40H04NF datasheet

 ..1. Size:1662K  cn apm
 ap40h04nf.pdf pdf_icon

AP40H04NF

AP40H04NF 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40H04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =40A DS D R

 9.1. Size:1188K  cn apm
 ap40h10nf.pdf pdf_icon

AP40H04NF

Otros transistores... AP3N10BI, AP3N50D, AP3P06AI, AP3P06BI, AP3P06LI, AP3P10MI, AP3P10S, AP40G03NF, 5N60, AP40H10NF, ATM06P50TC, ATM10N10SQ, ATM10N65TF, ATM1205PSI, ATM2300NSA, ATM2301PSC, ATM2302NSA