AP40H04NF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP40H04NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP40H04NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP40H04NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40H04NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1662K  cn apm
 ap40h04nf.pdf pdf_icon

AP40H04NF

AP40H04NF 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40H04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =40A DS DR

 9.1. Size:1188K  cn apm
 ap40h10nf.pdf pdf_icon

AP40H04NF

AP40H10NF 100V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40H10NF uses advanced APM-SGT II technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =40A DS DR

Другие MOSFET... AP3N10BI , AP3N50D , AP3P06AI , AP3P06BI , AP3P06LI , AP3P10MI , AP3P10S , AP40G03NF , 10N65 , AP40H10NF , , , , , , , .

History: AP3P06AI | AP35H04NF | AP3P06LI

 

 
Back to Top

 


 
.