ATM10N10SQ Todos los transistores

 

ATM10N10SQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATM10N10SQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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ATM10N10SQ Datasheet (PDF)

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ATM10N10SQ

ATM10N10SQN-Channel Fast Switching MOSFETsDrain-Source Voltage: 100V Drain Current:10ASOT-89DescriptionThe ATM10N10SQ is the high cell density trenched N-ch MOSFETs,which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications.The ATM10N10SQ meets the RoHS and Green Product requirementwith full function reliability approved.

 8.1. Size:694K  agertech
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ATM10N10SQ

ATM10N65TFN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: 650V Drain Current: 10ADESCRIPTIONThe ATM10N65TF is a high voltage power MOSFET combines advancedtrench MOSFET designed to have better characteristics, such as fastswitching time, low gate charge, low on-state resistance and high ruggedavalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in h

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