ATM10N10SQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ATM10N10SQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для ATM10N10SQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM10N10SQ даташит

 ..1. Size:340K  agertech
 atm10n10sq.pdf pdf_icon

ATM10N10SQ

ATM10N10SQ N-Channel Fast Switching MOSFETs Drain-Source Voltage 100V Drain Current 10A SOT-89 Description The ATM10N10SQ is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small p ower switching and load switch applications. The ATM10N10SQ meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 8.1. Size:694K  agertech
 atm10n65tf.pdf pdf_icon

ATM10N10SQ

ATM10N65TF N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 650V Drain Current 10A DESCRIPTION The ATM10N65TF is a high voltage power MOSFET combines advanced trench MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in h

Другие IGBT... AP3P06BI, AP3P06LI, AP3P10MI, AP3P10S, AP40G03NF, AP40H04NF, AP40H10NF, ATM06P50TC, AO3407, ATM10N65TF, ATM1205PSI, ATM2300NSA, ATM2301PSC, ATM2302NSA, ATM2305PSA, ATM2310NSA, ATM2320KNSA