ZXMN3F318DN8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZXMN3F318DN8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 608 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZXMN3F318DN8

ZXMN3F318DN8 Datasheet (PDF)

6.1. Size:427K diodes
zxmn3f31dn8.pdf

ZXMN3F31DN830V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.024 @ VGS= 10V 7.30.039 @ VGS= 4.5V 5.7DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD1 D2 Low on-resistance 4.5V gate drive capabilityG1 G2Applications DC-DC ConvertersS1 S2 Po

7.1. Size:411K diodes
zxmn3f30fh.pdf

ZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Converters Power m

7.2. Size:106K tysemi
zxmn3f30fh.pdf

Product specificationZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from TY features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Con

7.3. Size:408K zetex
zxmn3f30fhta.pdf

7.4. Size:1447K cn vbsemi
zxmn3f30fh.pdf

ZXMN3F30FHwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: