ZXMN3F318DN8
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZXMN3F318DN8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 7.3
A
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 12.9
nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 608
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039
Ohm
Тип корпуса:
SO8
Аналог (замена) для ZXMN3F318DN8
ZXMN3F318DN8
Datasheet (PDF)
6.1. Size:427K diodes
zxmn3f31dn8.pdf 
ZXMN3F31DN830V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.024 @ VGS= 10V 7.30.039 @ VGS= 4.5V 5.7DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD1 D2 Low on-resistance 4.5V gate drive capabilityG1 G2Applications DC-DC ConvertersS1 S2 Po
7.1. Size:411K diodes
zxmn3f30fh.pdf 
ZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Converters Power m
7.2. Size:106K tysemi
zxmn3f30fh.pdf 
Product specificationZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from TY features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Con
7.3. Size:408K zetex
zxmn3f30fhta.pdf 
ZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Converters Power m
7.4. Size:1447K cn vbsemi
zxmn3f30fh.pdf 
ZXMN3F30FHwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)
Другие MOSFET... FQT7N10L
, FDP083N15A
, FQU10N20C
, FDP075N15A
, FQU11P06
, FQU12N20
, FDPF085N10A
, FQU13N06L
, IRFZ44
, FDB86102LZ
, FQU17P06
, FQU1N60C
, FDP085N10A
, FQU20N06L
, FQU2N100
, FQU2N60C
, FDMC8030
.
