Справочник MOSFET. ZXMN3F318DN8

 

ZXMN3F318DN8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN3F318DN8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12.9 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для ZXMN3F318DN8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN3F318DN8 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:427K  diodes
 zxmn3f31dn8.pdf pdf_icon

ZXMN3F318DN8

ZXMN3F31DN830V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.024 @ VGS= 10V 7.30.039 @ VGS= 4.5V 5.7DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD1 D2 Low on-resistance 4.5V gate drive capabilityG1 G2Applications DC-DC ConvertersS1 S2 Po

 7.1. Size:411K  diodes
 zxmn3f30fh.pdf pdf_icon

ZXMN3F318DN8

ZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Converters Power m

 7.2. Size:106K  tysemi
 zxmn3f30fh.pdf pdf_icon

ZXMN3F318DN8

Product specificationZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from TY features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Con

 7.3. Size:408K  zetex
 zxmn3f30fhta.pdf pdf_icon

ZXMN3F318DN8

ZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Converters Power m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMN3A04K , ZXMN3A06DN8 , ZXMN3A14F , ZXMN3AMC , ZXMN3B01F , ZXMN3B04N8 , ZXMN3B14F , ZXMN3F30FH , 8205A , ZXMN3F31DN8 , ZXMN3G32DN8 , 2N7002(Z) , 2N7002A , STU442S , 2N7002E , STU441S , STU446S .

 

 
Back to Top

 


 
.