AP5N15MSI Todos los transistores

 

AP5N15MSI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP5N15MSI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP5N15MSI

 

AP5N15MSI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1255K  cn apm
 ap5n15msi.pdf pdf_icon

AP5N15MSI

AP5N15MSI 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N15MSI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 150V I =5A DS D R

 9.1. Size:1586K  allpower
 ap5n10s.pdf pdf_icon

AP5N15MSI

 9.2. Size:790K  allpower
 ap5n10m.pdf pdf_icon

AP5N15MSI

 9.3. Size:1712K  cn apm
 ap5n10mi.pdf pdf_icon

AP5N15MSI

AP5N10MI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N10MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =5A DS DR

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... ATM1205PSI , ATM2300NSA , ATM2301PSC , ATM2302NSA , ATM2305PSA , ATM2310NSA , ATM2320KNSA , AP4959A , 75N75 , AP5N20D , AP5N20D-H , AP5N30D , ATM2320KNSQ , ATM2602NSG , ATM2604KNSG , ATM2N65TD , ATM3003PSA .

 

 
Back to Top

 


 
.