AP5N15MSI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP5N15MSI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для AP5N15MSI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5N15MSI даташит

 ..1. Size:1255K  cn apm
 ap5n15msi.pdf pdf_icon

AP5N15MSI

AP5N15MSI 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N15MSI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 150V I =5A DS D R

 9.1. Size:1586K  allpower
 ap5n10s.pdf pdf_icon

AP5N15MSI

 9.2. Size:790K  allpower
 ap5n10m.pdf pdf_icon

AP5N15MSI

 9.3. Size:1712K  cn apm
 ap5n10mi.pdf pdf_icon

AP5N15MSI

AP5N10MI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N10MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =5A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ATM1205PSI, ATM2300NSA, ATM2301PSC, ATM2302NSA, ATM2305PSA, ATM2310NSA, ATM2320KNSA, AP4959A, 75N75, AP5N20D, AP5N20D-H, AP5N30D, ATM2320KNSQ, ATM2602NSG, ATM2604KNSG, ATM2N65TD, ATM3003PSA