ATM2604KNSG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATM2604KNSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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ATM2604KNSG datasheet

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ATM2604KNSG

ATM2604KNSG 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Descriptions The ATM2604KNSG uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for Schematic diagram use as a load switch or in PWM applications . Features R

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ATM2604KNSG

ATM2602NSG Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 20V Continuous Drain Current 3A Features SOT-23-6L Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R 65m ( V =4.5V) DS(ON) GS R 85m ( V =2.5V) DS(ON) GS Application Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc. Power supply converters circuit

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ATM2604KNSG

ATM2601PSG P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage -20V Continuous Drain Current -2.8A FEATURES SOT23-6 VDS = -20V,ID = -2.8A R

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