ATM2604KNSG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ATM2604KNSG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для ATM2604KNSG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM2604KNSG даташит

 ..1. Size:822K  agertech
 atm2604knsg.pdf pdf_icon

ATM2604KNSG

ATM2604KNSG 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Descriptions The ATM2604KNSG uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for Schematic diagram use as a load switch or in PWM applications . Features R

 8.1. Size:1378K  agertech
 atm2602nsg.pdf pdf_icon

ATM2604KNSG

ATM2602NSG Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 20V Continuous Drain Current 3A Features SOT-23-6L Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R 65m ( V =4.5V) DS(ON) GS R 85m ( V =2.5V) DS(ON) GS Application Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc. Power supply converters circuit

 8.2. Size:795K  agertech
 atm2601psg.pdf pdf_icon

ATM2604KNSG

ATM2601PSG P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage -20V Continuous Drain Current -2.8A FEATURES SOT23-6 VDS = -20V,ID = -2.8A R

Другие IGBT... ATM2320KNSA, AP4959A, AP5N15MSI, AP5N20D, AP5N20D-H, AP5N30D, ATM2320KNSQ, ATM2602NSG, IRFZ48N, ATM2N65TD, ATM3003PSA, ATM3400NSA, ATM3401APSA, ATM3401PSA, AP6H03S, AP6N03LI, AP6N03SI