AP6H03S Todos los transistores

 

AP6H03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6H03S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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AP6H03S Datasheet (PDF)

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AP6H03S

AP6H03S 30V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6H03S uses advanced trench D1D2technology to provide excellent R and low gate charge . DS(ON)The complementary MOSFETs may be used to form a G1 G2level shifted high side switch, and for a host of other applications S1 S2General Features N-Channel V = 30V,I =7.5A DS DR

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