AP6H03S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP6H03S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP8

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AP6H03S datasheet

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AP6H03S

AP6H03S 30V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6H03S uses advanced trench D1 D2 technology to provide excellent R and low gate charge . DS(ON) The complementary MOSFETs may be used to form a G1 G2 level shifted high side switch, and for a host of other applications S1 S2 General Features N-Channel V = 30V,I =7.5A DS D R

Otros transistores... ATM2320KNSQ, ATM2602NSG, ATM2604KNSG, ATM2N65TD, ATM3003PSA, ATM3400NSA, ATM3401APSA, ATM3401PSA, AON7403, AP6N03LI, AP6N03SI, AP6N04SI, AP70P03NF, AP7N50D, AP80P06NF, AP20P02BF, AP20P02D