AP6H03S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP6H03S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для AP6H03S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6H03S даташит

 ..1. Size:1825K  cn apm
 ap6h03s.pdf pdf_icon

AP6H03S

AP6H03S 30V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6H03S uses advanced trench D1 D2 technology to provide excellent R and low gate charge . DS(ON) The complementary MOSFETs may be used to form a G1 G2 level shifted high side switch, and for a host of other applications S1 S2 General Features N-Channel V = 30V,I =7.5A DS D R

Другие IGBT... ATM2320KNSQ, ATM2602NSG, ATM2604KNSG, ATM2N65TD, ATM3003PSA, ATM3400NSA, ATM3401APSA, ATM3401PSA, AON7403, AP6N03LI, AP6N03SI, AP6N04SI, AP70P03NF, AP7N50D, AP80P06NF, AP20P02BF, AP20P02D