AP6H03S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP6H03S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP6H03S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP6H03S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6H03S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1825K  cn apm
 ap6h03s.pdf pdf_icon

AP6H03S

AP6H03S 30V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6H03S uses advanced trench D1D2technology to provide excellent R and low gate charge . DS(ON)The complementary MOSFETs may be used to form a G1 G2level shifted high side switch, and for a host of other applications S1 S2General Features N-Channel V = 30V,I =7.5A DS DR

Другие MOSFET... ATM2320KNSQ , ATM2602NSG , ATM2604KNSG , ATM2N65TD , ATM3003PSA , ATM3400NSA , ATM3401APSA , ATM3401PSA , HY1906P , AP6N03LI , AP6N03SI , AP6N04SI , AP70P03NF , AP7N50D , AP80P06NF , , .

 

 
Back to Top

 


 
.