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AP25N04S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP25N04S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP25N04S

 

Principales características: AP25N04S

 ..1. Size:1696K  cn apm
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AP25N04S

AP25N04S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25N04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =40V I =25A DS D R

 7.1. Size:1494K  cn apm
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AP25N04S

AP25N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =25A DS D R

 8.1. Size:1968K  allpower
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AP25N04S

 8.2. Size:725K  allpower
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AP25N04S

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History: HUFA76645S3STF085 | HM9435B | AP45P06D | PJX8808 | 3N324 | AP2222D | AP25G03GD

 

 
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