AP25N04S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP25N04S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: SOP8

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AP25N04S datasheet

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AP25N04S

AP25N04S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25N04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =40V I =25A DS D R

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AP25N04S

AP25N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =25A DS D R

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AP25N04S

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AP25N04S

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