AP25N04S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP25N04S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP25N04S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для AP25N04S

 

AP25N04S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1696K  cn apm
 ap25n04s.pdf pdf_icon

AP25N04S

AP25N04S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25N04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =40V I =25A DS DR

 7.1. Size:1494K  cn apm
 ap25n04d.pdf pdf_icon

AP25N04S

AP25N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =25A DS DR

 8.1. Size:1968K  allpower
 ap25n06k.pdf pdf_icon

AP25N04S

 8.2. Size:725K  allpower
 ap25n06q.pdf pdf_icon

AP25N04S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP20P04D , AP220N08TLG1 , AP220N10MP , AP2222D , AP25G02NF , AP25G03GD , AP25G04GD , AP25N04D , IRFZ44 , AP4406A , AP4406B , AP4407A , AP4407B , AP4409A , AP4435A , AP4435B , AP45P06D .

 

 
Back to Top

 


 
.