AP4606C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4606C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SOP8

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AP4606C datasheet

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AP4606C

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AP4606C

AP4606C 20V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4606C uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =6.5A DS D R

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AP4606C

AP4606CS / Descriptions SOP-8 MOS Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel VDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=6.9A ID=-6A RDS(ON)

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AP4606C

AP4606P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 3.7m Fast Switching Characteristic ID3 125A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP4606 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes

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