AP4606C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4606C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4606C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4606C даташит

 ..1. Size:1459K  allpower
 ap4606c.pdf pdf_icon

AP4606C

 ..2. Size:1959K  cn apm
 ap4606c.pdf pdf_icon

AP4606C

AP4606C 20V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4606C uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =6.5A DS D R

 0.1. Size:3180K  allpower
 ap4606cs.pdf pdf_icon

AP4606C

AP4606CS / Descriptions SOP-8 MOS Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel VDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=6.9A ID=-6A RDS(ON)

 8.1. Size:200K  ape
 ap4606p.pdf pdf_icon

AP4606C

AP4606P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 3.7m Fast Switching Characteristic ID3 125A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP4606 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4406B, AP4407A, AP4407B, AP4409A, AP4435A, AP4435B, AP45P06D, AP45P06NF, 10N60, AP4953A, AP4953B, AP5N40D, AP5N50BD, AP5N50D, ATM3407PSA, ATM3415KPSA, ATM6402NSA