ATM7N65ATE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATM7N65ATE  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO252

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ATM7N65ATE datasheet

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ATM7N65ATE

ATM7N65ATE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 650V Drain Current 8A DESCRIPTION The ATM7N65ATE is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high spe

Otros transistores... AP4953B, AP5N40D, AP5N50BD, AP5N50D, ATM3407PSA, ATM3415KPSA, ATM6402NSA, ATM7414NDH, AON7408, ATM8205DNPD, ATM8205DNSG, ATM9435PPA, AP60P03D, AP65N03DF, AP65N04DF, AP65N06NF, AP68N04DF