ATM7N65ATE - аналоги и даташиты транзистора

 

ATM7N65ATE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ATM7N65ATE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для ATM7N65ATE

 

ATM7N65ATE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  agertech
 atm7n65ate.pdf pdf_icon

ATM7N65ATE

ATM7N65ATE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 650V Drain Current 8A DESCRIPTION The ATM7N65ATE is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high spe

Другие MOSFET... AP4953B , AP5N40D , AP5N50BD , AP5N50D , ATM3407PSA , ATM3415KPSA , ATM6402NSA , ATM7414NDH , AON7408 , ATM8205DNPD , ATM8205DNSG , ATM9435PPA , AP60P03D , AP65N03DF , AP65N04DF , AP65N06NF , AP68N04DF .

 

 
Back to Top

 


 
.