ATM7N65ATE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ATM7N65ATE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ATM7N65ATE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM7N65ATE даташит

 ..1. Size:411K  agertech
 atm7n65ate.pdf pdf_icon

ATM7N65ATE

ATM7N65ATE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 650V Drain Current 8A DESCRIPTION The ATM7N65ATE is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high spe

Другие IGBT... AP4953B, AP5N40D, AP5N50BD, AP5N50D, ATM3407PSA, ATM3415KPSA, ATM6402NSA, ATM7414NDH, AON7408, ATM8205DNPD, ATM8205DNSG, ATM9435PPA, AP60P03D, AP65N03DF, AP65N04DF, AP65N06NF, AP68N04DF