ATM8205DNPD Todos los transistores

 

ATM8205DNPD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATM8205DNPD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET ATM8205DNPD

 

Principales características: ATM8205DNPD

 ..1. Size:1551K  agertech
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ATM8205DNPD

ATM8205DNPD Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 20V Continuous Drain Current 5A Descriptions TSSOP8 The ATM8205DNPD uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON),low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. Features VDS=20V,ID=5

 5.1. Size:1664K  agertech
 atm8205dnsg.pdf pdf_icon

ATM8205DNPD

ATM8205DNSG Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 20V Continuous Drain Current 5A Descriptions The ATM8205DNSG uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON),low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. Features VDS=20V,ID=5A Typ.R

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