ATM8205DNPD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATM8205DNPD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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ATM8205DNPD datasheet

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ATM8205DNPD

ATM8205DNPD Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 20V Continuous Drain Current 5A Descriptions TSSOP8 The ATM8205DNPD uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON),low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. Features VDS=20V,ID=5

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ATM8205DNPD

ATM8205DNSG Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 20V Continuous Drain Current 5A Descriptions The ATM8205DNSG uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON),low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. Features VDS=20V,ID=5A Typ.R

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