ATM8205DNPD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ATM8205DNPD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
Аналог (замена) для ATM8205DNPD
ATM8205DNPD Datasheet (PDF)
atm8205dnpd.pdf
ATM8205DNPD Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 20V Continuous Drain Current 5A Descriptions TSSOP8 The ATM8205DNPD uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON),low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. Features VDS=20V,ID=5
atm8205dnsg.pdf
ATM8205DNSG Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 20V Continuous Drain Current 5A Descriptions The ATM8205DNSG uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON),low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. Features VDS=20V,ID=5A Typ.R
Другие MOSFET... AP5N40D , AP5N50BD , AP5N50D , ATM3407PSA , ATM3415KPSA , ATM6402NSA , ATM7414NDH , ATM7N65ATE , 2SK3878 , ATM8205DNSG , ATM9435PPA , AP60P03D , AP65N03DF , AP65N04DF , AP65N06NF , AP68N04DF , AP68N04NF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n



