ATM8205DNPD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ATM8205DNPD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ATM8205DNPD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM8205DNPD даташит

 ..1. Size:1551K  agertech
 atm8205dnpd.pdf pdf_icon

ATM8205DNPD

ATM8205DNPD Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 20V Continuous Drain Current 5A Descriptions TSSOP8 The ATM8205DNPD uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON),low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. Features VDS=20V,ID=5

 5.1. Size:1664K  agertech
 atm8205dnsg.pdf pdf_icon

ATM8205DNPD

ATM8205DNSG Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Drain-Source Voltage 20V Continuous Drain Current 5A Descriptions The ATM8205DNSG uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON),low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. Features VDS=20V,ID=5A Typ.R

Другие IGBT... AP5N40D, AP5N50BD, AP5N50D, ATM3407PSA, ATM3415KPSA, ATM6402NSA, ATM7414NDH, ATM7N65ATE, 2SK3878, ATM8205DNSG, ATM9435PPA, AP60P03D, AP65N03DF, AP65N04DF, AP65N06NF, AP68N04DF, AP68N04NF