AP68N04NF Todos los transistores

 

AP68N04NF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP68N04NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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AP68N04NF Datasheet (PDF)

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AP68N04NF

AP68N04NF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP68N04NF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =68A DS DR

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AP68N04NF

AP68N04DF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP68N04DF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =68A DS DR

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AP68N04NF

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