AP68N04NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP68N04NF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
AP68N04NF Datasheet (PDF)
ap68n04nf.pdf
AP68N04NF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP68N04NF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =68A DS D R
ap68n04df.pdf
AP68N04DF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP68N04DF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =68A DS D R
Другие MOSFET... ATM8205DNPD , ATM8205DNSG , ATM9435PPA , AP60P03D , AP65N03DF , AP65N04DF , AP65N06NF , AP68N04DF , IRFP260 , AP6946A , AP6G03LI , AP260N12TLG1 , AP30N10Y , AP30N15D , AP30N20P , AP30P01DF , AP30P02DF .
History: AP65N04DF | JMSH1552PK
History: AP65N04DF | JMSH1552PK
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945





