AP30P03D Todos los transistores

 

AP30P03D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP30P03D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 194 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP30P03D

 

Principales características: AP30P03D

 ..1. Size:858K  cn apm
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AP30P03D

AP30P03D -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Electrical Characteristics (TJ=25 , unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V , I =-250uA -30 --- --- V GS D BVDSS/ TJ BV Temperature Coefficient DSS Reference to 25 , I =-1mA --- -0.022 --- D V/ V =-10V , I =-15A --- 18 20 GS D m RDS(O

 0.1. Size:1462K  cn apm
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AP30P03D

AP30P03DF 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30P03DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-30A DS D R

 8.1. Size:592K  allpower
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AP30P03D

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AP30P03D

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History: JMSH0601BG

 

 
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