AP30P03D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP30P03D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 194 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AP30P03D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP30P03D datasheet

 ..1. Size:858K  cn apm
 ap30p03d.pdf pdf_icon

AP30P03D

AP30P03D -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Electrical Characteristics (TJ=25 , unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V , I =-250uA -30 --- --- V GS D BVDSS/ TJ BV Temperature Coefficient DSS Reference to 25 , I =-1mA --- -0.022 --- D V/ V =-10V , I =-15A --- 18 20 GS D m RDS(O

 0.1. Size:1462K  cn apm
 ap30p03df.pdf pdf_icon

AP30P03D

AP30P03DF 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30P03DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-30A DS D R

 8.1. Size:592K  allpower
 ap30p06.pdf pdf_icon

AP30P03D

 8.2. Size:680K  allpower
 ap30p06k.pdf pdf_icon

AP30P03D

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AP6946A, AP6G03LI, AP260N12TLG1, AP30N10Y, AP30N15D, AP30N20P, AP30P01DF, AP30P02DF, IRF1010E, AP40N02D, AP40N03S, AP40N10P, AP40N20MP, AP40P02D, AP40P03DF, AP40P04D, AP40P04DF