AP30P03D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP30P03D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP30P03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30P03D даташит

 ..1. Size:858K  cn apm
 ap30p03d.pdf pdf_icon

AP30P03D

AP30P03D -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Electrical Characteristics (TJ=25 , unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V , I =-250uA -30 --- --- V GS D BVDSS/ TJ BV Temperature Coefficient DSS Reference to 25 , I =-1mA --- -0.022 --- D V/ V =-10V , I =-15A --- 18 20 GS D m RDS(O

 0.1. Size:1462K  cn apm
 ap30p03df.pdf pdf_icon

AP30P03D

AP30P03DF 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30P03DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-30A DS D R

 8.1. Size:592K  allpower
 ap30p06.pdf pdf_icon

AP30P03D

 8.2. Size:680K  allpower
 ap30p06k.pdf pdf_icon

AP30P03D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP6946A, AP6G03LI, AP260N12TLG1, AP30N10Y, AP30N15D, AP30N20P, AP30P01DF, AP30P02DF, IRF1010E, AP40N02D, AP40N03S, AP40N10P, AP40N20MP, AP40P02D, AP40P03DF, AP40P04D, AP40P04DF