BS870 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BS870

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: SOT23

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BS870 datasheet

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BS870

BS870 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020C Fast Swit

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