BS870 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BS870
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de BS870 MOSFET
BS870 Datasheet (PDF)
bs870.pdf

BS870N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Fast Swit
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History: AP60T03GH | SIR462DP | DMP2004DMK | NP36N10SDE | IXTP4N100 | IPI80N06S2L-05 | SUD15N15-95
History: AP60T03GH | SIR462DP | DMP2004DMK | NP36N10SDE | IXTP4N100 | IPI80N06S2L-05 | SUD15N15-95



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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