BS870. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BS870

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для BS870

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BS870 даташит

 ..1. Size:133K  diodes
 bs870.pdf pdf_icon

BS870

BS870 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020C Fast Swit

Другие IGBT... 2N7002A, STU442S, 2N7002E, STU441S, STU446S, 2N7002VAC, 2N7002VC, STU438S, IRFZ44, BSN20, BSS138DW, STU438A, DMB53D0UDW, DMB53D0UV, DMB54D0UDW, DMB54D0UV, DMG1026UV