AGM042N10A Todos los transistores

 

AGM042N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGM042N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1342 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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AGM042N10A Datasheet (PDF)

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AGM042N10A

AGM042N10AVDS ,Drain to Source Voltage (V) T , Junction Temperature () JFig.1 Typical Output CharacteristicsFig.2 Normalized RDSON vs. TJT , Junction Temperature () Qg , Gate Charge (nC) JFig.3 Normalized V vs. T Fig.4 Gate Charge Waveformth JI , Continuous Drain Current (A) V , Gate to Source Voltage (V) D GSFig.5 Turn-On Resistance vs. ID Fig.6 Turn-On Resistan

 5.1. Size:1264K  cn agmsemi
 agm042n10d.pdf pdf_icon

AGM042N10A

AGM042N10DSilicon N-Channel MOSFET Typical Performance Characteristics Figure 1. Output Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics Figure 3. Drain-to-Source On Resistance Figure 4. Body Diode Forward Voltage vs Drain Current vs Source Current and Temperature Figure 5. Capacitance Characteristics Figure 6. Gate Charge Characteristics www.agm-mos.com 3 VER2.71AGM042

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