AGM042N10A - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM042N10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM042N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1342 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для AGM042N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM042N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1493K  cn agmsemi
 agm042n10a.pdf pdf_icon

AGM042N10A

AGM042N10AVDS ,Drain to Source Voltage (V) T , Junction Temperature () JFig.1 Typical Output CharacteristicsFig.2 Normalized RDSON vs. TJT , Junction Temperature () Qg , Gate Charge (nC) JFig.3 Normalized V vs. T Fig.4 Gate Charge Waveformth JI , Continuous Drain Current (A) V , Gate to Source Voltage (V) D GSFig.5 Turn-On Resistance vs. ID Fig.6 Turn-On Resistan

 5.1. Size:1264K  cn agmsemi
 agm042n10d.pdf pdf_icon

AGM042N10A

AGM042N10DSilicon N-Channel MOSFET Typical Performance Characteristics Figure 1. Output Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics Figure 3. Drain-to-Source On Resistance Figure 4. Body Diode Forward Voltage vs Drain Current vs Source Current and Temperature Figure 5. Capacitance Characteristics Figure 6. Gate Charge Characteristics www.agm-mos.com 3 VER2.71AGM042

Другие MOSFET... AGM025N10C , AGM025N13LL , AGM028N08A , AGM035N10A , AGM035N10C , AGM035N10H , AGM038N10A , AGM03N85H , IRF640N , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.