AGM042N10D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AGM042N10D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 898 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: TO252

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AGM042N10D datasheet

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AGM042N10D

AGM042N10D Silicon N-Channel MOSFET Typical Performance Characteristics Figure 1. Output Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics Figure 3. Drain-to-Source On Resistance Figure 4. Body Diode Forward Voltage vs Drain Current vs Source Current and Temperature Figure 5. Capacitance Characteristics Figure 6. Gate Charge Characteristics www.agm-mos.com 3 VER2.71 AGM042

 5.1. Size:1493K  cn agmsemi
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AGM042N10D

AGM042N10A VDS ,Drain to Source Voltage (V) T , Junction Temperature ( ) J Fig.1 Typical Output Characteristics Fig.2 Normalized RDSON vs. T J T , Junction Temperature ( ) Qg , Gate Charge (nC) J Fig.3 Normalized V vs. T Fig.4 Gate Charge Waveform th J I , Continuous Drain Current (A) V , Gate to Source Voltage (V) D GS Fig.5 Turn-On Resistance vs. ID Fig.6 Turn-On Resistan

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