AGM042N10D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM042N10D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM042N10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM042N10D даташит

 ..1. Size:1264K  cn agmsemi
 agm042n10d.pdf pdf_icon

AGM042N10D

AGM042N10D Silicon N-Channel MOSFET Typical Performance Characteristics Figure 1. Output Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics Figure 3. Drain-to-Source On Resistance Figure 4. Body Diode Forward Voltage vs Drain Current vs Source Current and Temperature Figure 5. Capacitance Characteristics Figure 6. Gate Charge Characteristics www.agm-mos.com 3 VER2.71 AGM042

 5.1. Size:1493K  cn agmsemi
 agm042n10a.pdf pdf_icon

AGM042N10D

AGM042N10A VDS ,Drain to Source Voltage (V) T , Junction Temperature ( ) J Fig.1 Typical Output Characteristics Fig.2 Normalized RDSON vs. T J T , Junction Temperature ( ) Qg , Gate Charge (nC) J Fig.3 Normalized V vs. T Fig.4 Gate Charge Waveform th J I , Continuous Drain Current (A) V , Gate to Source Voltage (V) D GS Fig.5 Turn-On Resistance vs. ID Fig.6 Turn-On Resistan

Другие IGBT... AGM1075S, AGM1095MAP, AGM1095MN, AGM1099D, AGM1099E, AGM1099EY, AGM1099S, AGM10N15D, 2N7000, AGM056N08C, AGM056N10A, AGM056N10C, AGM056N10H, AGM065N10C, AGM065N10D, AGM085N10C, AGM085N10C1