AGM042N10D - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AGM042N10D. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM042N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AGM042N10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM042N10D даташит

 ..1. Size:1264K  cn agmsemi
agm042n10d.pdfpdf_icon

AGM042N10D

AGM042N10D Silicon N-Channel MOSFET Typical Performance Characteristics Figure 1. Output Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics Figure 3. Drain-to-Source On Resistance Figure 4. Body Diode Forward Voltage vs Drain Current vs Source Current and Temperature Figure 5. Capacitance Characteristics Figure 6. Gate Charge Characteristics www.agm-mos.com 3 VER2.71 AGM042

 5.1. Size:1493K  cn agmsemi
agm042n10a.pdfpdf_icon

AGM042N10D

AGM042N10A VDS ,Drain to Source Voltage (V) T , Junction Temperature ( ) J Fig.1 Typical Output Characteristics Fig.2 Normalized RDSON vs. T J T , Junction Temperature ( ) Qg , Gate Charge (nC) J Fig.3 Normalized V vs. T Fig.4 Gate Charge Waveform th J I , Continuous Drain Current (A) V , Gate to Source Voltage (V) D GS Fig.5 Turn-On Resistance vs. ID Fig.6 Turn-On Resistan

Другие MOSFET... AGM1075S , AGM1095MAP , AGM1095MN , AGM1099D , AGM1099E , AGM1099EY , AGM1099S , AGM10N15D , AON7408 , AGM056N08C , AGM056N10A , AGM056N10C , AGM056N10H , AGM065N10C , AGM065N10D , AGM085N10C , AGM085N10C1 .

History: AGM30P55D | DG2N60-220F | VSO008N10MS

 

 
Back to Top

 


 
.