AGM065N10C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AGM065N10C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 128 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 993 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0076 Ohm

Encapsulados: TO220

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AGM065N10C datasheet

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AGM065N10C

AGM065N10C TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS VDS 90% 10% VGS Td(on) Tr Td(off) Tf Ton Toff Fig.7 Switching Time Waveform Fig.8 Gate Charge Waveform www.agm-mos.com 4 VER2.72 AGM065N10C MILLIMETER SYMBOL Dimensions TO-220 MIN Typ. MAX A A 4.370 4.570 4.700 E A1 A1 1.250 1.300 1.400 A2 2.150 2.350 2.550 b 0.700 0.800 0.950 b1 1.170 1.270 1.470 c 0.

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AGM065N10C

AGM065N10D General Description The AGM065N10D combines advanced trench Product Summary MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal switch and battery for load BVDSS RDSON ID protection applications. Features 100V 5.8m 95A Advance high cell density Trench technology TO-252 Pin Configuration Low R to

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