AGM065N10C - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AGM065N10C. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM065N10C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 993 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0076 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AGM065N10C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM065N10C даташит

 ..1. Size:1335K  cn agmsemi
 agm065n10c.pdf pdf_icon

AGM065N10C

AGM065N10C TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS VDS 90% 10% VGS Td(on) Tr Td(off) Tf Ton Toff Fig.7 Switching Time Waveform Fig.8 Gate Charge Waveform www.agm-mos.com 4 VER2.72 AGM065N10C MILLIMETER SYMBOL Dimensions TO-220 MIN Typ. MAX A A 4.370 4.570 4.700 E A1 A1 1.250 1.300 1.400 A2 2.150 2.350 2.550 b 0.700 0.800 0.950 b1 1.170 1.270 1.470 c 0.

 5.1. Size:1150K  cn agmsemi
 agm065n10d.pdf pdf_icon

AGM065N10C

AGM065N10D General Description The AGM065N10D combines advanced trench Product Summary MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal switch and battery for load BVDSS RDSON ID protection applications. Features 100V 5.8m 95A Advance high cell density Trench technology TO-252 Pin Configuration Low R to

Другие MOSFET... AGM1099EY , AGM1099S , AGM10N15D , AGM042N10D , AGM056N08C , AGM056N10A , AGM056N10C , AGM056N10H , IRF4905 , AGM065N10D , AGM085N10C , AGM085N10C1 , AGM085N10F , AGM08T15C , AGM1010A2 , AGM1010A-E , AGM1010A-F .

History: BUZ91A | FDC5661N-F085 | AGM304A | BL50N30-W | AGM13T05A | CMPDM7002AHC | AGM1405F

 

 
Back to Top

 


 
.