AGM065N10D Todos los transistores

 

AGM065N10D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGM065N10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 112 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1023 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0076 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AGM065N10D datasheet

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AGM065N10D

AGM065N10D General Description The AGM065N10D combines advanced trench Product Summary MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal switch and battery for load BVDSS RDSON ID protection applications. Features 100V 5.8m 95A Advance high cell density Trench technology TO-252 Pin Configuration Low R to

 5.1. Size:1335K  cn agmsemi
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AGM065N10D

AGM065N10C TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS VDS 90% 10% VGS Td(on) Tr Td(off) Tf Ton Toff Fig.7 Switching Time Waveform Fig.8 Gate Charge Waveform www.agm-mos.com 4 VER2.72 AGM065N10C MILLIMETER SYMBOL Dimensions TO-220 MIN Typ. MAX A A 4.370 4.570 4.700 E A1 A1 1.250 1.300 1.400 A2 2.150 2.350 2.550 b 0.700 0.800 0.950 b1 1.170 1.270 1.470 c 0.

Otros transistores... AGM1099S , AGM10N15D , AGM042N10D , AGM056N08C , AGM056N10A , AGM056N10C , AGM056N10H , AGM065N10C , IRLB4132 , AGM085N10C , AGM085N10C1 , AGM085N10F , AGM08T15C , AGM1010A2 , AGM1010A-E , AGM1010A-F , AGM1030MA .

History: AGM035N10A | CTP06N6P8

 

 
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