AGM065N10D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM065N10D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1023 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0076 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM065N10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM065N10D даташит

 ..1. Size:1150K  cn agmsemi
 agm065n10d.pdf pdf_icon

AGM065N10D

AGM065N10D General Description The AGM065N10D combines advanced trench Product Summary MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal switch and battery for load BVDSS RDSON ID protection applications. Features 100V 5.8m 95A Advance high cell density Trench technology TO-252 Pin Configuration Low R to

 5.1. Size:1335K  cn agmsemi
 agm065n10c.pdf pdf_icon

AGM065N10D

AGM065N10C TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS VDS 90% 10% VGS Td(on) Tr Td(off) Tf Ton Toff Fig.7 Switching Time Waveform Fig.8 Gate Charge Waveform www.agm-mos.com 4 VER2.72 AGM065N10C MILLIMETER SYMBOL Dimensions TO-220 MIN Typ. MAX A A 4.370 4.570 4.700 E A1 A1 1.250 1.300 1.400 A2 2.150 2.350 2.550 b 0.700 0.800 0.950 b1 1.170 1.270 1.470 c 0.

Другие IGBT... AGM1099S, AGM10N15D, AGM042N10D, AGM056N08C, AGM056N10A, AGM056N10C, AGM056N10H, AGM065N10C, 2SK3878, AGM085N10C, AGM085N10C1, AGM085N10F, AGM08T15C, AGM1010A2, AGM1010A-E, AGM1010A-F, AGM1030MA